IGBT TOSHIBA GT50J325
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Descripción
GT50J325 TOSHIBA Transistor bipolar de puerta aislada Canal N de silicio IGBT GT50 J325 Aplicaciones de conmutación de alta potencia Aplicaciones de conmutación rápida · · ·
El modo mejorado de 4.ª generación Conmutación rápida (FS): frecuencia de funcionamiento de hasta 50 kHz (referencia) ·
Alta velocidad: tf = 0.
05 µs (típ.) · Baja pérdida de conmutación: Eon = 1.
30 mJ (típ.) : Eoff = 1.
34 m J (típ.) · · Voltaje de baja saturación: VCE (sat) = 2.0 V (típ.)
FRD incluido entre el emisor y el colector Unidad: mm Valores nominales máximos (Ta =25 °C) Características Tensión colector-emisor Tensión puerta-emisor Corriente colector Corriente directa emisor-colector
