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IGBT TOSHIBA 50JR22

50A-600v

SKU: 50JR22 Categorías: , , Etiqueta:
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Descripción

1. 6.5ª generación

2. El RC-IGBT consta de un diodo de rueda libre (FWD) monolíticamente integrado en un chip IGBT.

3. Modo de mejora

4. Conmutación de alta velocidad
(1) IGBT: tf = 0,05 μs (típ.) (IC = 50 A)
(2) FWD: trr = 0,35 μs (típ.) (IF = 15 A)

5. Tensión de baja saturación: VCE(sat) = 1,55 V (típ.) (IC = 50 A)

6. Alta temperatura de unión: Tj = 175 (máx.)