TRANSISTOR G4PC40UD
VCES= 600V
VCE(on) typ.=1.72V
@VGE= 15V, IC= 20A
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Descripción
- UltraRápido: Optimizado para operaciones altas
frecuencias 8-40 kHz en conmutación fuerte, >200 kHz en modo resonante - El diseño IGBT de 4.ª generación ofrece una mayor
distribución de parámetros y mayor eficiencia que
Generación 3 - IGBT coempaquetado con HEXFREDTM ultrarrápido, Diodos antiparalelos de recuperación ultrasuave para uso en GE canal N VCE(encendido) tipo. = 1,72 V @VGE = 15V, CI = 20A configuraciones de puente
- Paquete TO-247AC estándar de la industria
Beneficios - Los IGBT de generación -4 ofrecen las mayores eficiencias
disponible - IGBT optimizados para condiciones de aplicación específicas
- Diodos HEXFRED optimizados para rendimiento con IGBT
- Las características de recuperación minimizadas requieren
menos/sin desprecio - Diseñado para ser un reemplazo “directo” para el equivalente
IGBT IR de generación 3 estándar de la industria