TRANSISTOR G4PC40UD

Descripción

• UltraRápido: Optimizado para operaciones altas
  frecuencias 8-40 kHz en conmutación fuerte, >200 kHz en modo resonante
• El diseño IGBT de 4.ª generación ofrece una mayor
  distribución de parámetros y mayor eficiencia que
  Generación 3
• IGBT coempaquetado con HEXFREDTM ultrarrápido, Diodos antiparalelos de recuperación ultrasuave para uso en GE canal N VCE(encendido) tipo. = 1,72 V @VGE = 15V, CI = 20A configuraciones de puente
• Paquete TO-247AC estándar de la industria
  Beneficios
• Los IGBT de generación -4 ofrecen las mayores eficiencias
  disponible
• IGBT optimizados para condiciones de aplicación específicas
• Diodos HEXFRED optimizados para rendimiento con IGBT
• Las características de recuperación minimizadas requieren
  menos/sin desprecio
• Diseñado para ser un reemplazo “directo” para el equivalente
  IGBT IR de generación 3 estándar de la industria