TRANSISTOR 50T65FESC

Descripción

Este IGBT se produce usando la avanzada tecnología IGBT Field Stop T rench de MagnaChip, que proporciona una alta serie de conmutación y una excelente calidad.
Este dispositivo es para aplicaciones PFC, UPS e inversores.

• Conmutación de alta velocidad y baja pérdida de potencia
• VCE(sat) = 1.85V @ IC = 50A  Eoff = 0.55mJ @ TC = 25°C
• Alta impedancia de entrada  trr = 80ns (típ.) @diF/dt = 1000A/ μs
• Temperatura máxima de unión 175 °C Aplicaciones
• PFC
• SAI
• Inversor fotovoltaico
• Soldadora
• IH G C E Parámetro de clasificación máxima.